超高温低损耗SiO2绝缘射频同轴电缆系列(4代)- S142



一 结构材料和参数
材料 直径(mm)
1. 内导体 高纯无氧铜线 0.97
2. 绝缘 低损耗 SiO2(新) 3.00
3. 外导体 高纯无氧铜管 3.60
4. 抗高温氧化层 镀镍或其他 3.60
二 环境及机械参数
1. 使用海拔高度 无限制
2. 抗化学性能 优异----与金属镍的抗腐蚀特性相同
3. 组件密封性 可采用非密封,或密封结构(泄露小于 1X10-8 CC/SEC (氦泄露率))
4. 潮湿 从 0%到 100%的相对湿度环境(包含非密封结构)
5. 抗拉强度 等同于铜导体的强度
6. 随机振动 40G’S (RMS)
7. 盐雾实验 符合 MIL-STD-202
8. 工作温度范围 -273 ~ +1000 ℃
9. 弯曲性能 超过 MIL-T-81490 中有关同轴电缆部分的要求
10. 耐辐射指标 > 10^13Rad
11. 最小弯曲半径(mm) 12.7
12. 单重(g/米) 52.0
三 电性能参数
1 电容(pF/m) 92
2 阻抗(欧姆) 50
3 速率(%) 73
4 屏蔽衰减(>dB) 120
5 平均功率(KW@8GHz) 1.6
6 峰值功率(KW@8GHz) 20
7 延时(ns/m) 4.58
8 绝缘电阻(大气环境,电缆没安装接头情况) > 1 X 10^13Ω/FT (常温)
> 1 X 10^7Ω/FT (760 ℃)
9 驻波比(VSWR) 2-4 GHz : 1.20:1 max
4-8 GHz : 1.25:1 max
8-12 GHz : 1.30:1 max
12-16 GHz : 1.35:1 max
16-18 GHz : 1.50:1 max
四 衰减 (典型值)
频率(MHz) 衰减 (dB/m) 频率(MHz) 衰减 (dB/m)
500 0.238 11000 1.575
1000 0.355 12000 1.689
2000 0.523 13000 1.890
3000 0.655 14000 2.097
4000 0.788 15000 2.135
5000 0.913 16000 2.255
6000 1.038 17000 2.386
7000 1.136 18000 2.489
8000 1.265 19000 2.578
9000 1.291 20000 2.666
10000 1.378
备注:当按照 GJB360B-2009 方法 106 做耐湿实验时,衰减值变化小于 15%
五 连接器损耗
频率 (GHz) 回波损耗(dB)
0.5 0.050
2.0 0.300
4.0 0.325
8.0 0.375
12.0 0.425
16.0 0.475
18.0 0.500